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YD/T 2345-2011 通信用电源线端子

作者:标准资料网 时间:2024-05-10 10:25:35  浏览:8870   来源:标准资料网
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基本信息
标准名称:通信用电源线端子
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2011-12-20
实施日期:2012-02-01
首发日期:
作废日期:
出版社:人民邮电出版社
出版日期:2012-02-01
适用范围

本标准规定了额定电压600/1000V及以下通信用电源线端子的分类与命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于额定电压600/1000 V及以下通信用电源线导体用过渡接线端子。

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所属分类: 仪器 仪表 其他仪器仪表 气象仪器 数学 自然科学 地质学 气象学 水文学
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基本信息
标准名称:信息技术 词汇 第6部分:数据的准备与处理
英文名称:Information technology--Vocabulary--Part 6:Preparation and handling of data
中标分类: 电子元器件与信息技术 >> 信息处理技术 >> 信息处理技术综合
ICS分类:
替代情况:GB/T 5271.6-1985
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布日期:2000-07-14
实施日期:2001-03-01
首发日期:1985-07-30
作废日期:1900-01-01
主管部门:国家标准化管理委员会
提出单位:中华人民共和国信息产业部
归口单位:中国电子技术标准化研究所
起草单位:中国电子技术标准化研究所
起草人:陈莹、黄家英、章鸿猷
出版社:中国标准出版社
出版日期:2001-03-01
页数:16页
书号:155066.1-17064
适用范围

为方便信息处理方面的国际交流,特制定此部分标准。本标准给出了与信息处理领域相关的概念的术语和定义,并明确了这些条目之间的关系。本标准定义了有关数据的输入与输出、数据的传送和转换以及数据的搜索技术等概念。

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所属分类: 电子元器件与信息技术 信息处理技术 信息处理技术综合
基本信息
标准名称:太阳电池用硅单晶
英文名称:Monocrystalline silicon of solar cell
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2010-09-02
实施日期:2011-04-01
首发日期:2010-09-02
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:有研半导体材料股份公司、万向硅峰电子股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、西安隆基硅材料有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司
起草人:孙燕、张果虎、卢立延、楼春兰、蒋建国、曹宇、孙世龙、袁文强
出版社:中国标准出版社
出版日期:2011-04-01
页数:12页
适用范围

本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法,检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

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引用标准

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
SEMIMF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法

所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料

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